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根据《NT动漫 科技成果转化管理办法》规定,对我校NT动漫 王智强老师团队的“宽禁带器件封装技术及应用方法”成果转化相关事项公示如下:
一、成果名称及简介
成果包含5项知识产权:
发明人:王智强,辛国庆,时晓洁,吴云禅,张荣
专利号:ZL202311412601.9
专利权人:NT动漫
简介:本发明提供了一种高温宽禁带功率模块及其制备方法。本发明的高温宽禁带功率模块,腔体内设有覆盖SiC功率芯片的Parylene HT薄膜层,在Parylene HT薄膜层表面设有无机薄膜层,无机薄膜层与Parylene HT薄膜层复合形成耐高温强绝缘的保型涂层;本发明所用的复合保型涂层热膨胀系数远低于有机硅凝胶,其厚度也远小于有机硅凝胶,使得高温下保型涂层引入的热机械应力远低于有机硅凝胶,延长了键合线寿命,提升了模块的工作稳定性;同时,本发明采用气密密封的方法对外壳密封,气密封装阻挡了外界的水氧和化学污染,缓解了保型涂层热降解的速率,使得保型涂层长期保持高温绝缘能力,进一步提升了模块的工作稳定性。
发明人:王智强,辛国庆,时晓洁,康勇,廖宇
专利号:ZL202310142336.0
专利权人:NT动漫
简介:本发明涉及电子设备散热技术领域,且公开了基于热点区域定向优化的歧管微通道散热器,包括功率模块,还包括散热基板、冷源装置和分流歧管;散热基板设置于功率模块上,散热基板远离功率模块一侧且位于功率模块发热区域的背面设置有微通道,用于承载功率模块并对功率模块进行散热。该基于热点区域定向优化的歧管微通道散热器,可通过优化散热基板上的微通道,初步改变功率模块的局部散热性能,避免多热源系统散热温度均匀性差的情况发生,再通过分流歧管配合冷源装置,基于热源布局特点改变微通道内部冷流的流入位置及流出位置,能够进一步实现定向强化冷却效果,达到基于热点区域的定向强化冷却且散热效率高的效果。
(3)发明专利申请:具有低寄生参数的SiC功率半导体模块及制备方法
发明人:王智强,姚永刚,孔武斌,豆加龙
申请号:CN202510667232.0
申请权人:NT动漫
简介:本发明属于半导体技术领域,公开了一种具有低寄生参数的SiC功率半导体模块及制备方法,包括:SiC功率半导体芯片、SiC功率半导体芯片基板垫块、正极功率端子、负极功率端子、输出功率端子、正极侧中间层中间层垫块、正极侧陶瓷去耦电容、正极侧基板中间层垫块、负极侧中间层中间层垫块、负极侧陶瓷去耦电容、负极侧基板中间层垫块、第一覆铜陶瓷基板、第三覆铜陶瓷基板、第四覆铜陶瓷基板、第二覆铜陶瓷基板、第一换流回路中间铜层、第二换流回路中间铜层;本发明通过使用叠层覆铜陶瓷基板的中间层铜为SiC功率半导体器件提供换流路径,创新性地引入双换流回路互感抵消的概念,进一步减小模块的寄生电感。
(4)发明专利申请:SiC电力电子变换器散热系统多目标热优化方法、装置及系统
发明人:王智强,孔武斌,姚永刚,满春阳,周逸敏
申请号:CN202510675554.X
申请权人:NT动漫
简介:本发明属于变换器散热技术领域,公开了一种SiC电力电子变换器散热系统多目标热优化方法,本发明可以将温度均匀性作为优化目标添加到多目标优化设计中,与压降、热阻组成三维多目标优化设计方法。最终的优化结果是,沿着热积累方向具有不同的直径、横向间距和纵向间距的Pin‑Fin散热结构(应用到微通道就是不同的通道宽度、深度和间距,其它散热结构可以以此类比),这样的结构可以使得对应的芯片有不同的结流热阻,从而补偿由流体热积累导致的芯片温度不均匀。可以有效提高散热系统的工作效率,同时可以有效地降低电力电子变换器的温度不均匀性。
(5)发明专利申请:一种低感低热阻耐高温SiC功率半导体器件封装架构
发明人:王智强,时晓洁,孔武斌,姚永刚,吴云禅
申请号:CN202510636258.9
申请权人:NT动漫
简介:本发明属于半导体器件封装技术领域,公开了一种低感低热阻耐高温SiC功率半导体器件封装架构,包括:上基板、下基板、去耦电容、陶瓷气密框、键合线/金属箔、功率半导体芯片、垫块、高温灌封材料;本发明利用了双面冷却模块具有上下两块基板的结构特点,采用特殊设计的陶瓷气密框,在上下基板之间构建了一个小型的气密系统。这一封装架构能够在不增加双面冷却功率模块的内外散热路径长度及换流回路路径长度,不影响模块低热阻低寄生电感性能优势的前提下,为模块核心部件提供气密密封防护。
二、拟交易价格
普通许可:750万元。
三、价格形成过程
经全体发明人同意,并与武汉新能源研究院有限公司协商,双方同意以750万元实施普通许可,许可期限为5年。
特此公示,公示期15日,自2025年12月3日起至2025年12月17日。如有异议,请于公示期内以书面形式实名向NT动漫 反映。
联系人:尹老师、徐老师
联系电话:87558732
科学技术发展院
2025年12月3日